MMF60R580P, транзистор MOSFET N-CH 600 В 8А 3-контактний (2+Tab) DPAK

600 В 7 А 500 мОм при 10 В, 3 А 63 Вт 4 В при 250 мкА N-канальні TO-252-2 MOSFET ROHS

Технічні параметри

Безперервний струм стоку (Id) 7 А

Опір сток-витік у відкритому стані (RDS(on) при Vgs, Id) 500 мОм при 10 В, 3 А

Напруга стік-витік (Vdss) 600 В

Порогова напруга затвора (Vgs(th) при Id) 4 при 250 мкА

Вхідна ємність (Ciss при Vds) 587 пФ при 50 В

Робоча температура -55℃~+150℃ при (Tj)

Розсіювання потужності (Pd) 63 Вт

Зворотна передатна ємність (Crss@Vds) 4 пФ@50 В

Загальний заряд затвора (Qg @ Vgs) 14,5 нКл @ 10 В

Канал типу N

Вага, м 0,54