80N60UFD — це компонент, відомий як IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором). Ця деталь здатна працювати з високою напругою 600В та високим струмом 80А.
Номер деталі: SGH80N60UFD
Функції: ультра-швидкий IGBT (Vces = 600В, 80А)
Корпус: тип TO-3PN
Виробник: Fairchild Semiconductor (Onsemi)
Номер деталі: SGH80N60UFD
Функції: ультра-швидкий IGBT (Vces = 600В, 80А)
Корпус: тип TO-3PN
Виробник: Fairchild Semiconductor (Onsemi)