Найменування приладу: IRF1310N

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N

Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 100

Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 10

Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 42

Максимальна температура каналу (Tj): 150

Заряд затвора 73.3 нКл

Термоопір 0.95 К /Вт

розсіюється 160 Вт

Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds), Ohm: 0.036

Тип корпусу: TO220AB