IRF5210PBF, транзистор, P-канал 100В 40А TO-220AB
МОП-транзистор MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
Технічні параметри
Структура P-канал
Максимальна напруга стік-витік Uси,В 100
Максимальний струм стік-джерел при 25 С Iсі макс..А 40
Максимальна напруга затвор-джерел Uзи макс.,В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсі вкл. (Max) за Id, Rds (on) 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальна розсіювана потужність Рсі макс. Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус TO-220AB
Порогова напруга на затворі -4
Вага, г 2.5