IRF7341, транзистор 2N-каналу 60В 7А SOIC-8

Структура 2n-каналу

Максимальна напруга стік-виток Uсі, В 60

Максимальний струм стік-джерел при 25 С Iсі макс..А 7

Максимальна напруга затвор-джерел Uзи макс.,В 20

Опір каналу у відкритому стані Rсі вкл. (Max) за Id, Rds (on) 0.028 Ом/4.5А, 10В

Максимальна розсіювана потужність Рсі макс. Вт 4

Крутизна характеристики, S 15

Корпус soic-8

Вага, г 0.15