FDS9926A-VB, транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт SOIC-8
Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 27
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 0.6…1.5
Вес, г 0.15