IR2101SPBF
Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, SO-8
Технические параметры
Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150(TJ)
Корпус SO-8
Вес, г 0.15